晶振概述 晶振一般指晶體振蕩器。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振； 而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。 晶振工作原理 ……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學(xué)也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起，不

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 理想等效

近幾十年來，以新發(fā)展起來的第 3 代寬禁帶功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強，開關(guān)頻率更高，損……

設(shè)計原理圖時，網(wǎng)絡(luò)標號要盡量簡潔眀了。 本文總結(jié)了一下基本的表示方法，供大家參考。 常用控制接口 ……

問題： 查看有些原理圖的設(shè)計時，經(jīng)常看到串一些小電阻，如0Ω，22Ω，33Ω等等，但是也不是一定串。同樣場合有的串，有的不串。這是為什么呢？這里電阻串聯(lián)的意義是什么呢？什么時候需要串電阻呢，阻值取多大呢？ 關(guān)于這個問題，我們先看下網(wǎng)上的一些答案： 有人說：參考設(shè)計上推薦……

Source、Drain、Gate分別對應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。 EDA365電子論壇

我們知道，在電路系統(tǒng)的各個子模塊進行數(shù)據(jù)交換時可能會存在一些問題導(dǎo)致信號無法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時電路子模塊各自的工作時序有偏差（如CPU與外設(shè)）或者各自的信號類型不一致（如傳感器檢測光信號）等，這時我們應(yīng)該考慮通過相應(yīng)的接口方式來很好地處理這個問題。 下面就電路設(shè)計中7個常用的接口類型的關(guān)鍵點……

今天說一款電壓型PWM控制器，那就是LM5025芯片，下面咱們看一下它的基本參數(shù)。 基本特性： 芯片內(nèi)置啟動偏置調(diào)節(jié)器，具有可編程的低壓鎖定輸出功能（UVLO），電壓型驅(qū)動器，5V參考電壓，具有可編程軟啟動功能，具有熱……

TVS全稱是transient voltage suppressor，瞬態(tài)電壓抑制器，它是一種保護器件。TVS管也屬于二極管，只不過特性與二極管的有區(qū)別，它的工作原理與穩(wěn)壓二極管類似，也是利用反向擊穿穩(wěn)定電壓，但TVS管的響應(yīng)速度要快于穩(wěn)壓管。 當電路中的TVS管受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以極高的速度（幾百皮秒）將兩級間的阻抗變?yōu)榈妥杩?，起到很好的浪涌功率吸收作用，同時也能使兩級之間的電壓保持在一個范圍內(nèi)，達到有效保護電路中其他元器件的免受浪涌脈沖的損壞。 TVS管和ZenerDiode兩

有些晶體管的尺寸超過500億個，這些晶體管比人類頭發(fā)絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達七層樓高，長度相當于四個足球場。 微芯片在許多方面都是現(xiàn)代經(jīng)濟的命脈。它們?yōu)殡娔X、智能手機、汽車、電器和其他許多電子產(chǎn)品提供動力。但自疫情以來，世界對它們的需求激增，這也導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，導(dǎo)致全……

FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應(yīng)，同時使芯片能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的性能指標。自從半導(dǎo)體取得突破以來，縱觀集成電路設(shè)計的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發(fā)越來越先進的工藝節(jié)點以滿足消費者的需求，當今先進處理器上的晶體管數(shù)量達到數(shù)百億。這與1970年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠，這在當時是最先進的。 推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)